Foto: Bug.hr
Samsung je objavio da je započeo isporuku prvih uzoraka nove HBM4E memorije, unaprijeđene verzije HBM4 standarda namijenjene prvenstveno sustavima umjetne inteligencije i podatkovnim centrima. Riječ je o memoriji koja, prema navodima tvrtke, donosi veći kapacitet, veću propusnost podataka i bolju energetsku učinkovitost od postojećeg rješenja.
HBM4E konfiguracija koristi 12 slojeva memorije i nudi kapacitet od 48 GB. To je povećanje od 33 posto u odnosu na standardni HBM4 u istoj konfiguraciji, koji raspolaže s 36 GB. Samsung istovremeno razvija i verzije kapaciteta 32 GB i 64 GB kako bi zadovoljio različite potrebe proizvođača AI hardvera.
Osim većeg kapaciteta, HBM4E donosi i približno 20 posto veću propusnost. Brzina prijenosa podataka povećana je na 14 Gbps po pinu, što daje ukupnu propusnost od 3,6 terabajta u sekundi po memorijskom paketu. Tvrtka pritom navodi da je arhitektura spremna i za buduće povećanje brzine na 16 Gbps.
Nova memorija temelji se na kombinaciji memorijskih čipova proizvedenih u Samsungovu šestom generacijskom proizvodnom procesu „1c” i logičke baze izrađene u 4-nanometarskom procesu. Zahvaljujući redizajnu, HBM4E troši oko 16 posto manje energije u odnosu na prethodnu generaciju, a toplinski otpor smanjen je za najmanje 14 posto.
Iz Samsunga navode da kontinuirano povećavaju proizvodne kapacitete za HBM memoriju te očekuju da će HBM4E imati važnu ulogu u daljnjem razvoju infrastrukture za umjetnu inteligenciju. Nakon uspješnog početka masovne proizvodnje HBM4 memorije, Samsung je sada predstavio i HBM4E kao nastavak tog razvoja.
„Nakon uspješnog početka masovne proizvodnje HBM4 memorije, Samsung je još jednom pokazao svoju tehnološku prednost kroz HBM4E. Zahvaljujući naprednim proizvodnim mogućnostima i pravovremenim ulaganjima u infrastrukturu, nastavit ćemo poticati rast globalnog tržišta AI memorije”, priopćio je Sang Joon Hwang, izvršni potpredsjednik i voditelj razvoja memorije u Samsung Electronicsu.